收藏本站
型号 SPB12N50C3
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-263
SPB12N50C3 PDF
代理商 SPB12N50C3
产品培训模块 CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
产品目录绘图 Mosfets TO-263
标准包装 1,000
系列 CoolMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 560V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 11.6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 380 毫欧 @ 7A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 3.9V @ 500µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 49nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 1200pF @ 25V
功率 - 最大 125W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装 PG-TO263-3
包装 带卷 (TR)
产品目录页面 1616 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 SP000014894
SPB12N50C3-ND
SPB12N50C3INTR
SPB12N50C3XT
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
同类型PDF
SPB160100E3 Microsemi Power Products Group DIODE SCHOTTKY 100V 160A SOT-227
SPB160N04S2-03 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
SPB160N04S2L-03 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
SPB16N50C3 Infineon Technologies MOSFET N-CH 560V 16A TO-263
SPB16N50C3 Infineon Technologies MOSFET N-CH 560V 16A TO-263
SPB16N50C3 Infineon Technologies MOSFET N-CH 560V 16A TO-263
SPB17N80C3 Infineon Technologies MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
SPB17N80C3 Infineon Technologies MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
SPB17N80C3 Infineon Technologies MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
SPB18P06P Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
SPB18P06P G Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263
SPB18P06P G Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263
SPB18P06P G Infineon Technologies MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263
SPB2 Hammond Manufacturing PANEL SWING KIT
SPB20N60C3 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 20.7A D2PAK
SPB20N60S5 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 20A TO-263
SPB20N60S5 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 20A TO-263
SPB20N60S5 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 20A TO-263
SPB21N10 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK
SPB21N10 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 21A D2PAK